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元件参数资料
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参数目录40014
> FDS89141 MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC
型号:
FDS89141
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDS89141 PDF
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
62 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
398pF @ 50V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOIC
包装
带卷 (TR)
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